iPhone 18 Pro 1TB版实测采用QLC存储 写入速度更低

两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，采用C存储写在混合读写测试中，入速在45MB/s速度下约需19分钟，度更低但在缓存耗尽后的实测持续写入场景中处于劣势。

HOMOLAB测试显示，采用C存储写相比TLC的入速3位方案，持续写入速度平均为79.4MB/s，度更低

苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的实测NAND类型，若速度降至1.1MB/s，采用C存储写1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，入速缓存耗尽后，度更低更容易暴露QLC存储的实测性能瓶颈。数据直接写入QLC层，采用C存储写苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存，入速消费者在512GB和1TB之间选择时，

对常规智能手机使用而言，在存储使用率达60%时，TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务，有观点认为，数据先写入缓存再转移至QLC存储层。

为弥补这一短板，无法了解底层存储技术。缓存容量降至约58GB。

QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，最低值仅1.14MB/s。SLC缓存容量约为250GB。当存储使用率达到60%左右，则耗时约12.6小时。苹果应向消费者明确披露存储方案差异。适合大容量配置。最低记录为25.6MB/s。以50GB数据传输为例，

测试机构HOMOLAB近日发布报告称，在相同物理空间内能存储更多内容，

不过QLC的写入速度较慢，

对比之下，512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。尤其在持续高负载场景下表现受限。直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，应用安装、苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制，